Generazione dei tempi di volo libero in Simulazioni Dirette Monte Carlo per il trasporto di cariche nei semiconduttori

Autori

  • Vincenza Di Stefano Department of Mathematics and Computer Science, University of Catania

DOI:

https://doi.org/10.1685/

Parole chiave:

Submicron Silicon semiconductor devices, Direct Monte Carlo Simulation, free flight

Abstract

Questo articolo riguarda la Simulazione Diretta Monte Carlo per il trasporto di cariche in dispositivi a semiconduttore di dimensioni submicrometriche. Vengono presentati e messi a confronto diversi metodi per la generazione dei tempi di scattering, chiamati Constant-Time technique (CTT) e Self-Scattering technique (SST), al fine di analizzare la loro efficienza e precisione. Sono state eseguite simulazioni di un diodo al silicio monodimensionale del tipo $n^+ - n - n^+$ allo stato stazionario. Per questo particolare dispositivo, SST sembra essere più efficiente di CTT. [DOI: 10.1685/CSC09223] About DOI

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Pubblicato

2009-08-12

Fascicolo

V. 3 (2009)

Sezione

Articles

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